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日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備
簡要描述:

日本ULVAC愛發科CC-200半導體化學氣相沉積設備
日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備

  • 產品型號:CC-200
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2025-10-14
  • 訪  問  量:781

詳細介紹

日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備

日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備


負載鎖定等離子體CVD設備CC-200

負載鎖定等離子體CVD裝置CC-200體積小且易于使用,適用于從研發到生產的一切。


特征

  • 27.12MHz高密度等離子工藝

  • SiH 4型:SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型:可提供 SiO 2薄膜

  • 可使用CF 4 +O 2等離子體清潔腔室

  • 與有機EL低溫成膜用加熱器兼容

  • 通過托盤傳輸支持各種尺寸的電路板

  • 真空箱允許在 C 系列單元之間進行間接連續處理(濺射:CS-200,蒸發:CV-200)。

目的

  • 功率器件

  • LED、LD、高速器件等相關化合物

  • 有機EL開發

  • 太陽能電池開發

  • 微機電系統


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